以目前的光刻机技术，直接降低波长λ，是最直接的办法，为了降低光源的波长，全球光刻机厂商都投入巨资，研发下一代光刻机光源技术，
根据目前全球的光刻机技术，其中，尼康投入巨资研发出波长更低的157nmF2准分子激光做为光源，但是，被现有193nm机器用的镜片吸收，造成分辨率等问题，并且，光刻胶也要重新研制，所以改造难度极大，而对193nm的波长进步只有不到25%，研发投入产出之间的比例，是非常之低…
可以说，变动时非常大的。基本从目前193nm光刻技术上推倒重来。
还有就是，由米国组织的EUV联盟，而这个联盟是由英特尔，AMD，摩托罗拉，ASML，英飞凌等企业组成，正在验证了EUV光刻机的可行性…。
相对以上的两种光刻机技术方案，都不是最优的，特别是EUV联盟，所主导的EUV光刻机方案，以目前的技术是非常难以实现，并且，是需要巨额的资金，没有一家公司能承受…。
那么，以目前的光刻技术193nmArF光源的干法光刻机，作出简单的更改，就能把光源波长降低，
降低光源的波长，可以在镜头与晶圆曝光区域之间的介质从空气换成水，由于水的折射率大约为1.4，那么波长可缩短为1931.4=132nm，大大超过攻而不克的157nm，完全可以实现45nm，甚至是28nm以下制程。
其工作原理就是：利用光通过水介质后光源波长缩短来提高分辨率，而浸没式光刻机采用折射和反射相结合的光路设计。这种设计可以减少投影系统光学元件的数目，控制像差和热效应，实现光刻技术…
根据以上的数据，浸入式光刻机，可以说属于轻微地改进，能产生巨大的经济效应，其光刻机的产品成熟度是非常高的，
不过，顺便说一下，由米国组织EUVLLC联盟，是在2003年，这个EUVLLC联盟解散，也就是说，这个联盟只是存在了6年。
当时尼康光刻机是没有进入EUV联盟，米国认为这是米国的高科技，怎么能分兴给外国企业…。
具体原因还是当时米国半导体，甚至是光刻机SVG公司、被曰本公司，尼康公司打得落花流水，所以，担心曰本企业强大，米国拒绝尼康公司加入EUV协会…。
虽然说，ASML加入EUV联盟，但是，并没有立即研发出EUV光刻机
因为在90年代，ASML还是一家小公司，每年的盈利是非常少，而研发EUV光刻机，其每年研发的费用高达10亿美金，所以，在90年代，ASML根本没有实力研发EUV光刻机，
而是跟随尼康光刻机的脚步，也从事157nm研发，ASML收购米国光刻机SVG公司，获取了反射技术，2003年出品了157nm机器…，很显然，在最后，不论技术，还是成本完败于低成本的浸入式193nm。
不过，根据21世纪网络新闻记载，在2002年，台积电公司林本坚，在一次技术研讨会上提出了浸入式193nm的方案，
随后，林本坚带着浸入式193nm的方案，跑遍米国，曰本，德国光刻机公司，说服大厂们采用“浸入式光刻”方案，基本都是被拒绝。因为以上的公司正在研发157nm，那么。现在研发浸入式193nm，就意味着之前的巨量研发都打水漂，
最后，林本坚找到ASML，由于当时ASML公司在光刻机占有率很少，所以，决定了研发浸入式193nm，
根据目前全球的光刻机技术，其中，尼康投入巨资研发出波长更低的157nmF2准分子激光做为光源，但是，被现有193nm机器用的镜片吸收，造成分辨率等问题，并且，光刻胶也要重新研制，所以改造难度极大，而对193nm的波长进步只有不到25%，研发投入产出之间的比例，是非常之低…
可以说，变动时非常大的。基本从目前193nm光刻技术上推倒重来。
还有就是，由米国组织的EUV联盟，而这个联盟是由英特尔，AMD，摩托罗拉，ASML，英飞凌等企业组成，正在验证了EUV光刻机的可行性…。
相对以上的两种光刻机技术方案，都不是最优的，特别是EUV联盟，所主导的EUV光刻机方案，以目前的技术是非常难以实现，并且，是需要巨额的资金，没有一家公司能承受…。
那么，以目前的光刻技术193nmArF光源的干法光刻机，作出简单的更改，就能把光源波长降低，
降低光源的波长，可以在镜头与晶圆曝光区域之间的介质从空气换成水，由于水的折射率大约为1.4，那么波长可缩短为1931.4=132nm，大大超过攻而不克的157nm，完全可以实现45nm，甚至是28nm以下制程。
其工作原理就是：利用光通过水介质后光源波长缩短来提高分辨率，而浸没式光刻机采用折射和反射相结合的光路设计。这种设计可以减少投影系统光学元件的数目，控制像差和热效应，实现光刻技术…
根据以上的数据，浸入式光刻机，可以说属于轻微地改进，能产生巨大的经济效应，其光刻机的产品成熟度是非常高的，
不过，顺便说一下，由米国组织EUVLLC联盟，是在2003年，这个EUVLLC联盟解散，也就是说，这个联盟只是存在了6年。
当时尼康光刻机是没有进入EUV联盟，米国认为这是米国的高科技，怎么能分兴给外国企业…。
具体原因还是当时米国半导体，甚至是光刻机SVG公司、被曰本公司，尼康公司打得落花流水，所以，担心曰本企业强大，米国拒绝尼康公司加入EUV协会…。
虽然说，ASML加入EUV联盟，但是，并没有立即研发出EUV光刻机
因为在90年代，ASML还是一家小公司，每年的盈利是非常少，而研发EUV光刻机，其每年研发的费用高达10亿美金，所以，在90年代，ASML根本没有实力研发EUV光刻机，
而是跟随尼康光刻机的脚步，也从事157nm研发，ASML收购米国光刻机SVG公司，获取了反射技术，2003年出品了157nm机器…，很显然，在最后，不论技术，还是成本完败于低成本的浸入式193nm。
不过，根据21世纪网络新闻记载，在2002年，台积电公司林本坚，在一次技术研讨会上提出了浸入式193nm的方案，
随后，林本坚带着浸入式193nm的方案，跑遍米国，曰本，德国光刻机公司，说服大厂们采用“浸入式光刻”方案，基本都是被拒绝。因为以上的公司正在研发157nm，那么。现在研发浸入式193nm，就意味着之前的巨量研发都打水漂，
最后，林本坚找到ASML，由于当时ASML公司在光刻机占有率很少，所以，决定了研发浸入式193nm，